反應離子刻蝕設備
反應離子刻蝕原理是將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產生等離子體。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學反應，另一方面由于射頻自偏壓作用，等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理化學相結合的方法達到材料表面刻蝕的目的?；竟δ?. 該設備采用平板電容放電形式，將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產生等離子體。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學反應
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反應離子刻蝕原理是將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產生等離子體。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學反應，另一方面由于射頻自偏壓作用，等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理化學相結合的方法達到材料表面刻蝕的目的。
基本功能
1. 該設備采用平板電容放電形式，將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產生等離子體。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發(fā)生化學反應，另一方面由于射頻自偏壓
作用，等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理化學相結合的方法達到材料表面刻蝕的目的；
2. 刻蝕氣體：氟基刻蝕氣體；
3. 可刻蝕材料：單晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、PSG、SOI、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等；
4. 設備兼有去膠功能。