在現(xiàn)有材料中,具有極大的電光(EO)效應(yīng)的光學(xué)晶體:
通過利用電光(EO)的作用,可以進(jìn)行高速光學(xué)控制。
當(dāng)應(yīng)用于光學(xué)掃描儀時(shí),它可以以傳統(tǒng)技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的方式進(jìn)行位移跟蹤。
特點(diǎn)
通過使用高EO效應(yīng)(Kerr效應(yīng)),可以制造小型高速光學(xué)掃描儀(光學(xué)偏光鏡),可變焦距透鏡或高效相位調(diào)制器(光學(xué)開關(guān))。
EO效應(yīng) | S11?= 3.0×10 -15 m2 / V 2,例如:δn?0.003,* 1 (鈮酸鋰的20倍以上) [條件:*ε r= 17500,400V /mm,波長633nm(最大T c左右)] |
光學(xué)品質(zhì) | 在488 nm和3,500 nm之間是透明的,其中有望實(shí)現(xiàn)超高EO效應(yīng)。 |
應(yīng)用領(lǐng)域
-KTN偏轉(zhuǎn)器
-200kHz OCT波長掃光
-垂直聚焦鏡片
-光學(xué)調(diào)制器
-各種實(shí)驗(yàn)應(yīng)用(芯片,設(shè)備)
應(yīng)用實(shí)例
KTN晶片
KTN晶片(4.0×3.2×1.2 )
可根據(jù)客戶設(shè)備的設(shè)計(jì)來定制尺寸和形狀。另外,請向我們咨詢最合適的電極和抗反射涂層等
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KTN晶片
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