離子束刻蝕的原理是把氬氣等惰性氣體充入離子源放電室，并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面，撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，純屬物理過(guò)程?；竟δ?. 三維結(jié)構(gòu)刻蝕：離子束刻蝕設(shè)備可用于刻蝕任何材料的三維結(jié)構(gòu)，刻蝕陡直度優(yōu)于85度，刻蝕精度可做到小于10nm。2. 材料表面清洗：采用考夫曼離子源產(chǎn)生的準(zhǔn)直離子束對(duì)樣
離子束刻蝕的原理是把氬氣等惰性氣體充入離子源放電室，并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面，撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，純屬物理過(guò)程。
1. 三維結(jié)構(gòu)刻蝕：離子束刻蝕設(shè)備可用于刻蝕任何材料的三維結(jié)構(gòu)，刻蝕陡直度優(yōu)于85度，刻蝕精度可做到小于10nm。
2. 材料表面清洗：采用考夫曼離子源產(chǎn)生的準(zhǔn)直離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行清洗，通過(guò)離子束轟擊材料表面去除表面污染層，因其清洗過(guò)程屬于純物理原理，所以離子束清洗是材料表面純凈化極為徹底的方法。該設(shè)備可用于清洗各種材料表面，并且不會(huì)發(fā)生二次污染。
3. 材料表面終極拋光：采用離子束對(duì)材料表面進(jìn)行拋光，可使材料表面達(dá)到極小粗糙度。例如我們對(duì)熔融石英表面進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn)，最終其表面粗糙度可達(dá)到Ra=0.1nm。
1. 化學(xué)輔助離子束刻蝕：*控制物理與化學(xué)刻蝕分量，提高材料刻蝕率和與掩模材料的刻蝕選擇比。
2. 反應(yīng)離子束刻蝕：可通多種反應(yīng)氣體提高刻蝕速率和選擇比。例如：用光刻膠做掩?？涛gSiO2，刻蝕速率比已達(dá)1:3以上。
3. 金屬表面再造：使其比表面積增大1000倍以上，具有微米和納米柱狀微結(jié)構(gòu)?？芍谱鱐WT陽(yáng)極，具有極低的二次電子發(fā)射系數(shù)。